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Artikelnummer | MURTA200120R |
LIXINC Part # | MURTA200120R |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - Arrays |
Beschreibung | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | MURTA200120R PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | MURTA200120R |
Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - Arrays |
Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
Serie: | - |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
Diodenkonfiguration: | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp: | Standard |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 1200 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io) (pro Diode): | 100A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 2.6 V @ 100 A |
Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 25 µA @ 1200 V |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart: | Chassis Mount |
Paket / Koffer: | Three Tower |
Gerätepaket des Lieferanten: | Three Tower |
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Auf Lager | 10820 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $106.56056 | $106.56056 |
18 | $106.56056 | $1918.09008 |
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