DDB6U215N16LHOSA1 | IR (Infineon Technologies) DDB6U215N16LHOSA1 | DDB6U215N16LHOSA1 Inventory, Best Pricing

DDB6U215N16LHOSA1

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Artikelnummer	DDB6U215N16LHOSA1
LIXINC Part #	DDB6U215N16LHOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - Arrays
Beschreibung	DIODE MODULE GP 1600V
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DDB6U215N16LHOSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 25 - Oct 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DDB6U215N16LHOSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	DDB6U215N16LHOSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Diodenkonfiguration:	3 Independent
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1600 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io) (pro Diode):	-
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.61 V @ 300 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	10 mA @ 1600 V
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-40°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module