BF510,215 | Rochester Electronics BF510,215 | BF510,215 Inventory, Best Pricing

BF510,215

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	BF510,215
LIXINC Part #	BF510,215
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	BF510 - RF SMALL SIGNAL FIELD-EF
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BF510,215 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

BF510,215 Spezifikationen

Artikelnummer:	BF510,215
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	N-Channel JFET
Frequenz:	100MHz
gewinnen:	-
Spannung - testen:	10 V
Nennstrom (Ampere):	30mA
Rauschzahl:	1.5dB
Aktueller Test:	5 mA
Leistung:	-
Spannung - bewertet:	20 V
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-236AB (SOT23)

MRF1K50NR5	WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST	895 Mehr auf Bestellung
BLP15M9S70GZ	BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP	1233 Mehr auf Bestellung
PD55015STR-E	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	995 Mehr auf Bestellung
BLF2425M9LS30U	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B	901 Mehr auf Bestellung
CPH6324-TL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	12978 Mehr auf Bestellung
NPT25015D	HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC	49173 Mehr auf Bestellung
A2I25H060NR1	IC RF LDMOS AMP	958 Mehr auf Bestellung
IGN1011L70	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	960 Mehr auf Bestellung
BLF8G24LS-100GVJ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	824 Mehr auf Bestellung
MRF101AN	RF TRANSISTOR 100W TO-220	1185 Mehr auf Bestellung
MRF8P23080HSR5	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4	910 Mehr auf Bestellung
MRFE6S9045NR1	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	1484 Mehr auf Bestellung
CGHV96130F	100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM	910 Mehr auf Bestellung