NE3520S03-T1C-A | Rochester Electronics NE3520S03-T1C-A | NE3520S03-T1C-A Inventory, Best Pricing

NE3520S03-T1C-A

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	NE3520S03-T1C-A
LIXINC Part #	NE3520S03-T1C-A
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NE3520S03-T1C-A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

NE3520S03-T1C-A Spezifikationen

Artikelnummer:	NE3520S03-T1C-A
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	HFET
Frequenz:	20GHz
gewinnen:	13.5dB
Spannung - testen:	2 V
Nennstrom (Ampere):	70mA
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	-
Leistung:	-
Spannung - bewertet:	4 V
Paket / Koffer:	4-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	4-SMD

PD20015C	FET RF 40V 2GHZ M243	808 Mehr auf Bestellung
MRFE6VP6300HR5	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4	1197 Mehr auf Bestellung
BF1108R,215	IC RF SWITCH SOT-143R	937 Mehr auf Bestellung
AFT09MS015NT1	RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD1.5W	1870 Mehr auf Bestellung
BLF574,112	RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A	834 Mehr auf Bestellung
PTVA120251EA-V2-R250	IC AMP RF LDMOS	877 Mehr auf Bestellung
BLF178XRS,112	RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539B	834 Mehr auf Bestellung
MRFE6VP100HR5	RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4	957 Mehr auf Bestellung
MRFE6VS25LR5	FET RF 133V 512MHZ NI360L	1150 Mehr auf Bestellung
MRF173	FET RF 65V 150MHZ 211-11	989 Mehr auf Bestellung
NE3503M04-T2-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	30638 Mehr auf Bestellung
CLF1G0060-10U	RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A	840 Mehr auf Bestellung
MRF8VP13350NR3	TRANS RF LDMOS 350W 50V	930 Mehr auf Bestellung