PD20010-E

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Artikelnummer	PD20010-E
LIXINC Part #	PD20010-E
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PD20010-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 19 - Sep 23 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PD20010-E Spezifikationen

Artikelnummer:	PD20010-E
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	LDMOS
Frequenz:	2GHz
gewinnen:	11dB
Spannung - testen:	13.6 V
Nennstrom (Ampere):	5A
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	150 mA
Leistung:	10W
Spannung - bewertet:	40 V
Paket / Koffer:	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E Unterlagen

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