BFU730LXZ

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Artikelnummer	BFU730LXZ
LIXINC Part #	BFU730LXZ
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFU730LXZ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFU730LXZ Spezifikationen

Artikelnummer:	BFU730LXZ
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	3V
Frequenz - Übergang:	53GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.75dB @ 6GHz
gewinnen:	15.8dB
Leistung max:	160mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	205 @ 2mA, 3V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30mA
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	3-XFDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	3-DFN1006 (1.0x0.6)

BFU730LXZ Unterlagen

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