BFR193L3E6327XTMA1 | IR (Infineon Technologies) BFR193L3E6327XTMA1 | BFR193L3E6327XTMA1 Inventory, Best Pricing

BFR193L3E6327XTMA1

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Artikelnummer	BFR193L3E6327XTMA1
LIXINC Part #	BFR193L3E6327XTMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFR193L3E6327XTMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFR193L3E6327XTMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFR193L3E6327XTMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	12V
Frequenz - Übergang:	8GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gewinnen:	12.5dB ~ 19dB
Leistung max:	580mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 30mA, 8V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-101, SOT-883
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TSLP-3-1