VS-12TTS08STRR-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-12TTS08STRR-M3 | VS-12TTS08STRR-M3 Inventory, Best Pricing

VS-12TTS08STRR-M3

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Artikelnummer	VS-12TTS08STRR-M3
LIXINC Part #	VS-12TTS08STRR-M3
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Thyristoren - scrs
Beschreibung	SCR 800V 12.5A TO263AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-12TTS08STRR-M3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VS-12TTS08STRR-M3 Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-12TTS08STRR-M3
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Thyristoren - scrs
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Spannung - Aus-Zustand:	800 V
Spannung - Gate-Trigger (vgt) (max):	1 V
Strom - Gate-Trigger (igt) (max):	15 mA
Spannung - eingeschalteter Zustand (vtm) (max):	1.2 V
Strom - Ein-Zustand (it (av)) (max):	8 A
Strom - Ein-Zustand (it (rms)) (max):	12.5 A
Strom - halten (ih) (max):	30 mA
Strom - Aus-Zustand (max.):	1 mA
Strom - nicht rep. Anstieg 50, 60 Hz (itsm):	110A @ 50Hz
scr-Typ:	Standard Recovery
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB (D²PAK)