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BT169GEP

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Artikelnummer	BT169GEP
LIXINC Part #	BT169GEP
Hersteller	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Thyristoren - scrs
Beschreibung	SCR 600V 800MA TO92-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BT169GEP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BT169GEP Spezifikationen

Artikelnummer:	BT169GEP
Marke:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Thyristoren - scrs
Hersteller:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Spannung - Aus-Zustand:	600 V
Spannung - Gate-Trigger (vgt) (max):	800 mV
Strom - Gate-Trigger (igt) (max):	200 µA
Spannung - eingeschalteter Zustand (vtm) (max):	1.7 V
Strom - Ein-Zustand (it (av)) (max):	500 mA
Strom - Ein-Zustand (it (rms)) (max):	800 mA
Strom - halten (ih) (max):	5 mA
Strom - Aus-Zustand (max.):	100 µA
Strom - nicht rep. Anstieg 50, 60 Hz (itsm):	8A, 9A
scr-Typ:	Sensitive Gate
Betriebstemperatur:	125°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3