NSB8ATHE3_A/P | Vishay General Semiconductor – Diodes Division NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

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Artikelnummer	NSB8ATHE3_A/P
LIXINC Part #	NSB8ATHE3_A/P
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSB8ATHE3_A/P PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSB8ATHE3_A/P Spezifikationen

Artikelnummer:	NSB8ATHE3_A/P
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	50 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	8A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 8 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	10 µA @ 50 V
Kapazität @ vr, f:	55pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C

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