IDB30E120ATMA1

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Artikelnummer IDB30E120ATMA1
LIXINC Part # IDB30E120ATMA1
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterDioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IDB30E120ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IDB30E120ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:IDB30E120ATMA1
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
Diodentyp:Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):1200 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):50A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:2.15 V @ 30 A
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):243 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:100 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f:-
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-3-2
Betriebstemperatur - Sperrschicht:-55°C ~ 150°C

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