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RFN1LAM6STR

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Artikelnummer	RFN1LAM6STR
LIXINC Part #	RFN1LAM6STR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RFN1LAM6STR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RFN1LAM6STR Spezifikationen

Artikelnummer:	RFN1LAM6STR
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	600 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	800mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.45 V @ 800 mA
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	35 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	1 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOD-128
Gerätepaket des Lieferanten:	PMDTM
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	150°C (Max)