JAN1N5811US

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Artikelnummer JAN1N5811US
LIXINC Part # JAN1N5811US
Hersteller Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie Diskreter HalbleiterDioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle JAN1N5811US PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

JAN1N5811US Spezifikationen

Artikelnummer:JAN1N5811US
Marke:Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:Roving Networks / Microchip Technology
Serie:Military, MIL-PRF-19500/477
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
Diodentyp:Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):150 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):6A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):30 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:5 µA @ 150 V
Kapazität @ vr, f:60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:SQ-MELF, B
Gerätepaket des Lieferanten:B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Sperrschicht:-65°C ~ 175°C

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