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Artikelnummer | JAN1N5811US |
LIXINC Part # | JAN1N5811US |
Hersteller | Roving Networks / Microchip Technology |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | JAN1N5811US PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | JAN1N5811US |
Marke: | Roving Networks / Microchip Technology |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Hersteller: | Roving Networks / Microchip Technology |
Serie: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
Diodentyp: | Standard |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 150 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io): | 6A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 875 mV @ 4 A |
Geschwindigkeit: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | 30 ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 5 µA @ 150 V |
Kapazität @ vr, f: | 60pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | SQ-MELF, B |
Gerätepaket des Lieferanten: | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | -65°C ~ 175°C |
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Auf Lager | 10899 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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100 | $6.92000 | $692 |
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