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Artikelnummer | NSB8JT-E3/45 |
LIXINC Part # | NSB8JT-E3/45 |
Hersteller | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | NSB8JT-E3/45 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 06 - Jul 10 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | NSB8JT-E3/45 |
Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Hersteller: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
Diodentyp: | Standard |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 600 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io): | 8A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 1.1 V @ 8 A |
Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 10 µA @ 600 V |
Kapazität @ vr, f: | 55pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | -55°C ~ 150°C |
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Auf Lager | 10835 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1000 | $0.51202 | $512.02 |
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