SE10FJ-M3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SE10FJ-M3/I

SE10FJ-M3/I

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Artikelnummer	SE10FJ-M3/I
LIXINC Part #	SE10FJ-M3/I
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SE10FJ-M3/I PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SE10FJ-M3/I Spezifikationen

Artikelnummer:	SE10FJ-M3/I
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	600 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.05 V @ 1 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	780 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	5 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f:	7.5pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-219AB
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 175°C