BYG10M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

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Artikelnummer	BYG10M-E3/TR3
LIXINC Part #	BYG10M-E3/TR3
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BYG10M-E3/TR3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BYG10M-E3/TR3 Spezifikationen

Artikelnummer:	BYG10M-E3/TR3
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Avalanche
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1000 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	1.5A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.15 V @ 1.5 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	4 µs
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	1 µA @ 1000 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-214AC, SMA
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C