1N4150W-HE3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4150W-HE3-08

1N4150W-HE3-08

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Artikelnummer	1N4150W-HE3-08
LIXINC Part #	1N4150W-HE3-08
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	1N4150W-HE3-08 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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1N4150W-HE3-08 Spezifikationen

Artikelnummer:	1N4150W-HE3-08
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	50 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	200mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1 V @ 200 mA
Geschwindigkeit:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Rückwärtserholzeit (trr):	4 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	100 nA @ 50 V
Kapazität @ vr, f:	2.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOD-123
Gerätepaket des Lieferanten:	SOD-123
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C