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RJP60F5DPK-01#T0

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Artikelnummer	RJP60F5DPK-01#T0
LIXINC Part #	RJP60F5DPK-01#T0
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 80A 260.4W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJP60F5DPK-01#T0 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RJP60F5DPK-01#T0 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJP60F5DPK-01#T0
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.8V @ 15V, 40A
Leistung max:	260.4 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	74 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	53ns/90ns
Testbedingung:	400V, 30A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P