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Artikelnummer | RGTH80TS65GC11 |
LIXINC Part # | RGTH80TS65GC11 |
Hersteller | ROHM Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln |
Beschreibung | 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | RGTH80TS65GC11 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | RGTH80TS65GC11 |
Marke: | ROHM Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - einzeln |
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
igbt-Typ: | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 70 A |
Strom - Kollektor gepulst (icm): | 160 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.1V @ 15V, 40A |
Leistung max: | 234 W |
Schaltenergie: | - |
Eingabetyp: | Standard |
Gate-Gebühr: | 79 nC |
td (ein/aus) bei 25 °c: | 34ns/120ns |
Testbedingung: | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
Rückwärtserholzeit (trr): | - |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Paket / Koffer: | TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-247N |
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Auf Lager | 11175 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.62000 | $3.62 |
10 | $3.24953 | $32.4953 |
25 | $3.07213 | $76.80325 |
100 | $2.66261 | $266.261 |
450 | $2.52607 | $1136.7315 |
900 | $2.26663 | $2039.967 |
1350 | $1.91161 | $2580.6735 |
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