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IKD15N60R

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Artikelnummer	IKD15N60R
LIXINC Part #	IKD15N60R
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IKD15N60R PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IKD15N60R Spezifikationen

Artikelnummer:	IKD15N60R
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	TrenchStop®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	45 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 15A
Leistung max:	250 W
Schaltenergie:	900µJ
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	90 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	16ns/183ns
Testbedingung:	400V, 15A, 15Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	110 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3