IKP08N65F5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKP08N65F5XKSA1 | IKP08N65F5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKP08N65F5XKSA1

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Artikelnummer	IKP08N65F5XKSA1
LIXINC Part #	IKP08N65F5XKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IKP08N65F5XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IKP08N65F5XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IKP08N65F5XKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	TrenchStop®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	18 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	24 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 8A
Leistung max:	70 W
Schaltenergie:	70µJ (on), 20µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	22 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	10ns/116ns
Testbedingung:	400V, 4A, 48Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	41 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3

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