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IRGP50B60PD1-EP

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Artikelnummer	IRGP50B60PD1-EP
LIXINC Part #	IRGP50B60PD1-EP
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IRGP50B60 - DISCRETE IGBT WITH A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRGP50B60PD1-EP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

IRGP50B60PD1-EP Spezifikationen

Artikelnummer:	IRGP50B60PD1-EP
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	75 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	150 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.85V @ 15V, 50A
Leistung max:	390 W
Schaltenergie:	255µJ (on), 375µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	205 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	30ns/130ns
Testbedingung:	390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	42 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247AD

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