HGT1S3N60A4DS9A | Rochester Electronics HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S3N60A4DS9A Inventory, Best Pricing

HGT1S3N60A4DS9A

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	HGT1S3N60A4DS9A
LIXINC Part #	HGT1S3N60A4DS9A
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	N-CHANNEL IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HGT1S3N60A4DS9A PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

HGT1S3N60A4DS9A Spezifikationen

Artikelnummer:	HGT1S3N60A4DS9A
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	17 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 3A
Leistung max:	70 W
Schaltenergie:	37µJ (on), 25µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	21 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	6ns/73ns
Testbedingung:	390V, 3A, 50Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	29 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB