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Artikelnummer | IKW50N65EH5XKSA1 |
LIXINC Part # | IKW50N65EH5XKSA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln |
Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IKW50N65EH5XKSA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | IKW50N65EH5XKSA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - einzeln |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | TrenchStop™ |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
igbt-Typ: | Trench |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 80 A |
Strom - Kollektor gepulst (icm): | 200 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.1V @ 15V, 50A |
Leistung max: | 275 W |
Schaltenergie: | 1.5mJ (on), 500µJ (off) |
Eingabetyp: | Standard |
Gate-Gebühr: | 120 nC |
td (ein/aus) bei 25 °c: | 25ns/172ns |
Testbedingung: | 400V, 50A, 12Ohm, 15V |
Rückwärtserholzeit (trr): | 81 ns |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Paket / Koffer: | TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten: | PG-TO247-3 |
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Auf Lager | 11068 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.39000 | $5.39 |
10 | $4.87597 | $48.7597 |
240 | $4.05750 | $973.8 |
720 | $3.50529 | $2523.8088 |
1200 | $3.01025 | $3612.3 |
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