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RGW80TS65GC11

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Artikelnummer	RGW80TS65GC11
LIXINC Part #	RGW80TS65GC11
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RGW80TS65GC11 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

RGW80TS65GC11 Spezifikationen

Artikelnummer:	RGW80TS65GC11
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	78 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 40A
Leistung max:	214 W
Schaltenergie:	760µJ (on), 720µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	110 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	44ns/143ns
Testbedingung:	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247N

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