IHW20N120R5XKSA1

IHW20N120R5XKSA1
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Artikelnummer IHW20N120R5XKSA1
LIXINC Part # IHW20N120R5XKSA1
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - einzeln
Beschreibung IGBT 1200V 40A TO247-3
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IHW20N120R5XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IHW20N120R5XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:IHW20N120R5XKSA1
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:TrenchStop®
Paket:Tube
Teilstatus:Active
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):40 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.75V @ 15V, 20A
Leistung max:288 W
Schaltenergie:750µJ (off)
Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:170 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:-/260ns
Testbedingung:600V, 20A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):-
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO247-3

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