IKY75N120CH3XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKY75N120CH3XKSA1 | IKY75N120CH3XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKY75N120CH3XKSA1

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Artikelnummer	IKY75N120CH3XKSA1
LIXINC Part #	IKY75N120CH3XKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1200V 150A TO247-4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IKY75N120CH3XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IKY75N120CH3XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IKY75N120CH3XKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	150 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	300 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.35V @ 15V, 75A
Leistung max:	938 W
Schaltenergie:	3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	370 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	38ns/303ns
Testbedingung:	600V, 75A, 6Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	292 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-4
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-4

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