IGP03N120H2XKSA1 | Rochester Electronics IGP03N120H2XKSA1 | IGP03N120H2XKSA1 Inventory, Best Pricing

IGP03N120H2XKSA1

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Artikelnummer	IGP03N120H2XKSA1
LIXINC Part #	IGP03N120H2XKSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IGP03N120H2XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IGP03N120H2XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IGP03N120H2XKSA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1.2 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	9.6 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	9.9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 3A
Leistung max:	62.5 W
Schaltenergie:	290µJ
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	22 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	9.2ns/281ns
Testbedingung:	800V, 3A, 82Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220-3

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