HGTP5N120BND

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Artikelnummer HGTP5N120BND
LIXINC Part # HGTP5N120BND
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - einzeln
Beschreibung IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle HGTP5N120BND PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HGTP5N120BND Spezifikationen

Artikelnummer:HGTP5N120BND
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Not For New Designs
igbt-Typ:NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):21 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 5A
Leistung max:167 W
Schaltenergie:450µJ (on), 390µJ (off)
Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:53 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:22ns/160ns
Testbedingung:960V, 5A, 25Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):65 ns
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3

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