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Artikelnummer | HGTP5N120BND |
LIXINC Part # | HGTP5N120BND |
Hersteller | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln |
Beschreibung | IGBT 1200V 21A 167W TO220AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | HGTP5N120BND PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | HGTP5N120BND |
Marke: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - einzeln |
Hersteller: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Not For New Designs |
igbt-Typ: | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 21 A |
Strom - Kollektor gepulst (icm): | 40 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.7V @ 15V, 5A |
Leistung max: | 167 W |
Schaltenergie: | 450µJ (on), 390µJ (off) |
Eingabetyp: | Standard |
Gate-Gebühr: | 53 nC |
td (ein/aus) bei 25 °c: | 22ns/160ns |
Testbedingung: | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
Rückwärtserholzeit (trr): | 65 ns |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Paket / Koffer: | TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-220-3 |
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Auf Lager | 10937 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.38624 | $1.38624 |
800 | $1.38624 | $1108.992 |
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