NGTB50N60FLWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTB50N60FLWG

NGTB50N60FLWG

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	NGTB50N60FLWG
LIXINC Part #	NGTB50N60FLWG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 50A TO247
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NGTB50N60FLWG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

NGTB50N60FLWG Spezifikationen

Artikelnummer:	NGTB50N60FLWG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 50A
Leistung max:	223 W
Schaltenergie:	1.1mJ (on), 600µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	310 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	116ns/292ns
Testbedingung:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	85 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247