FGB20N60SFD | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGB20N60SFD

FGB20N60SFD

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Artikelnummer	FGB20N60SFD
LIXINC Part #	FGB20N60SFD
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 40A 208W D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGB20N60SFD PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FGB20N60SFD Spezifikationen

Artikelnummer:	FGB20N60SFD
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Last Time Buy
igbt-Typ:	Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	40 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 20A
Leistung max:	208 W
Schaltenergie:	370µJ (on), 160µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	65 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	13ns/90ns
Testbedingung:	400V, 20A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	34 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK

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