Nur als Referenz
Artikelnummer | IPA057N08N3GXKSA1 |
LIXINC Part # | IPA057N08N3GXKSA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IPA057N08N3GXKSA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | IPA057N08N3GXKSA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | OptiMOS™ |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 80 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 6V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 5.7mOhm @ 60A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.5V @ 90µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 69 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 4750 pF @ 40 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 39W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | PG-TO220-FP |
Paket / Koffer: | TO-220-3 Full Pack |
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Auf Lager | 10850 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.08000 | $2.08 |
10 | $1.89380 | $18.938 |
100 | $1.54311 | $154.311 |
500 | $1.22466 | $612.33 |
1000 | $1.03358 | $1033.58 |
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