FDN357N | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN357N

FDN357N

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Artikelnummer	FDN357N
LIXINC Part #	FDN357N
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDN357N PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FDN357N Spezifikationen

Artikelnummer:	FDN357N
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	5.9 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	235 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	500mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SuperSOT-3
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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