PSMN085-150K,518 | Rochester Electronics PSMN085-150K,518 | PSMN085-150K,518 Inventory, Best Pricing

PSMN085-150K,518

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Artikelnummer	PSMN085-150K,518
LIXINC Part #	PSMN085-150K,518
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PSMN085-150K,518 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PSMN085-150K,518 Spezifikationen

Artikelnummer:	PSMN085-150K,518
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	150 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.31 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.5W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)