NVTFS4C13NTWG | Rochester Electronics NVTFS4C13NTWG | NVTFS4C13NTWG Inventory, Best Pricing

NVTFS4C13NTWG

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	NVTFS4C13NTWG
LIXINC Part #	NVTFS4C13NTWG
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVTFS4C13NTWG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

NVTFS4C13NTWG Spezifikationen

Artikelnummer:	NVTFS4C13NTWG
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	14A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	9.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	15.2 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	770 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3W (Ta), 26W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN