FDMC2610 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMC2610

FDMC2610

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Artikelnummer	FDMC2610
LIXINC Part #	FDMC2610
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDMC2610 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FDMC2610 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDMC2610
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	UniFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	200mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	960 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN