Nur als Referenz
Artikelnummer | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | BSZ16DN25NS3GATMA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | OptiMOS™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 250 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 10.9A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 165mOhm @ 5.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 32µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 11.4 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 920 pF @ 100 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | PG-TSDSON-8 |
Paket / Koffer: | 8-PowerTDFN |
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Auf Lager | 18508 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.92000 | $1.92 |
5000 | $0.84383 | $4219.15 |
10000 | $0.82612 | $8261.2 |
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