Nur als Referenz
Artikelnummer | FDD4N60NZ |
LIXINC Part # | FDD4N60NZ |
Hersteller | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | FDD4N60NZ PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 01 - Jul 05 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | FDD4N60NZ |
Marke: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Serie: | UniFET-II™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 600 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 3.4A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 2.5Ohm @ 1.7A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 10.8 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±25V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 510 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 114W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | DPAK |
Paket / Koffer: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Auf Lager | 15752 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.93000 | $0.93 |
2500 | $0.39455 | $986.375 |
5000 | $0.36880 | $1844 |
12500 | $0.35591 | $4448.875 |
25000 | $0.34888 | $8722 |
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