NTNS3A65PZT5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G

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Artikelnummer	NTNS3A65PZT5G
LIXINC Part #	NTNS3A65PZT5G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTNS3A65PZT5G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTNS3A65PZT5G Spezifikationen

Artikelnummer:	NTNS3A65PZT5G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	281mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	1.1 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	44 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	155mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Paket / Koffer:	SC-101, SOT-883