DN2535N3-G-P003 | Roving Networks / Microchip Technology DN2535N3-G-P003

DN2535N3-G-P003

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	DN2535N3-G-P003
LIXINC Part #	DN2535N3-G-P003
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DN2535N3-G-P003 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

DN2535N3-G-P003 Spezifikationen

Artikelnummer:	DN2535N3-G-P003
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	350 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120mA (Tj)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	0V
rds auf (max) @ id, vgs:	25Ohm @ 120mA, 0V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	300 pF @ 25 V
fet-Funktion:	Depletion Mode
Verlustleistung (max.):	1W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92 (TO-226)
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)