TPN11006NL,LQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN11006NL,LQ

TPN11006NL,LQ

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Artikelnummer	TPN11006NL,LQ
LIXINC Part #	TPN11006NL,LQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TPN11006NL,LQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TPN11006NL,LQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TPN11006NL,LQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	17A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	11.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	700mW (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN

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