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FDS6689S

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Artikelnummer	FDS6689S
LIXINC Part #	FDS6689S
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDS6689S PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FDS6689S Spezifikationen

Artikelnummer:	FDS6689S
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	16A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	5.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	78 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3.29 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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