SQS481ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQS481ENW-T1_GE3 | SQS481ENW-T1

SQS481ENW-T1_GE3

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Artikelnummer	SQS481ENW-T1_GE3
LIXINC Part #	SQS481ENW-T1_GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SQS481ENW-T1_GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SQS481ENW-T1_GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SQS481ENW-T1_GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	150 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.7A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.095Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	385 pF @ 75 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer:	PowerPAK® 1212-8