IXTF200N10T | Wickmann / Littelfuse IXTF200N10T | IXTF200N10T Inventory, Best Pricing

IXTF200N10T

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Artikelnummer	IXTF200N10T
LIXINC Part #	IXTF200N10T
Hersteller	Wickmann / Littelfuse
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 90A I4PAC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IXTF200N10T PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IXTF200N10T Spezifikationen

Artikelnummer:	IXTF200N10T
Marke:	Wickmann / Littelfuse
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Wickmann / Littelfuse
Serie:	TrenchMV™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	90A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9400 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	156W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	ISOPLUS i4-PAC™
Paket / Koffer:	i4-Pac™-5