HUF75309D3S | Rochester Electronics HUF75309D3S | HUF75309D3S Inventory, Best Pricing

HUF75309D3S

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	HUF75309D3S
LIXINC Part #	HUF75309D3S
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HUF75309D3S PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

HUF75309D3S Spezifikationen

Artikelnummer:	HUF75309D3S
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	UltraFET™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	19A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	24 nC @ 20 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	55W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D-Pak
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63