NVMFS5C468NLAFT3G

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Artikelnummer NVMFS5C468NLAFT3G
LIXINC Part # NVMFS5C468NLAFT3G
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle NVMFS5C468NLAFT3G PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS5C468NLAFT3G Spezifikationen

Artikelnummer:NVMFS5C468NLAFT3G
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:Automotive, AEC-Q101
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Not For New Designs
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:13A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:10.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7.3 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:570 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer:8-PowerTDFN, 5 Leads

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