IRFBE30STRLPBF | Vishay / Siliconix IRFBE30STRLPBF | IRFBE30STRLPBF Inventory, Best Pricing

IRFBE30STRLPBF

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRFBE30STRLPBF
LIXINC Part #	IRFBE30STRLPBF
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFBE30STRLPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRFBE30STRLPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFBE30STRLPBF
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.1A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	78 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB