TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

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Artikelnummer	TPH2R306NH,L1Q
LIXINC Part #	TPH2R306NH,L1Q
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TPH2R306NH,L1Q PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TPH2R306NH,L1Q Spezifikationen

Artikelnummer:	TPH2R306NH,L1Q
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	60A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	72 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6100 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.6W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN