BSP296NH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP296NH6327XTSA1 | BSP296NH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP296NH6327XTSA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	BSP296NH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP296NH6327XTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSP296NH6327XTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

BSP296NH6327XTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSP296NH6327XTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.2A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	6.7 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	152.7 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT223-4
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA

BUK763R4-30B,118	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK	1064 Mehr auf Bestellung
SCH1435-TL-W	MOSFET N-CH 30V 3A 6SCH	31000 Mehr auf Bestellung
IXTP1R6N50D2	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB	68749 Mehr auf Bestellung
SIHFS11N50A-GE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO263	941 Mehr auf Bestellung
DMN90H2D2HCTI	MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB	960 Mehr auf Bestellung
IRF8788TRPBF	MOSFET N-CH 30V 24A 8SO	1451 Mehr auf Bestellung
IPB60R080P7ATMA1	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK	1995 Mehr auf Bestellung
AOB7S60L	MOSFET N-CH 600V 7A TO263	814 Mehr auf Bestellung
PHD101NQ03LT,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	4947 Mehr auf Bestellung
RTR030P02HZGTL	MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3	3373 Mehr auf Bestellung
AUIRF2907ZS7PTL	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	966 Mehr auf Bestellung
IPB80N03S4L03	N-CHANNEL POWER MOSFET	2898 Mehr auf Bestellung
AOW20S60	MOSFET N-CH 600V 20A TO262	877 Mehr auf Bestellung