HUF75639G3 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HUF75639G3

HUF75639G3

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Artikelnummer	HUF75639G3
LIXINC Part #	HUF75639G3
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HUF75639G3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HUF75639G3 Spezifikationen

Artikelnummer:	HUF75639G3
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	UltraFET™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	56A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	130 nC @ 20 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	200W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3